杨德仁

半导体硅材料是信息产业的基础材料。杨德仁一直从事硅材料研究，他面向国家对集成电路（IC）等的重大需求，针对制约IC器件可靠性、成品率的硅材料的关键科学技术问题，取得了具有重要国际学术影响的系统性、创造性成就。他提出掺氮控制缺陷的原始创新思路，系统揭示了氮关缺陷的物理性质，解决了其在IC应用的关键科学问题，实现了成果转化及在国内大规模生产，引起国际上广泛关注、跟进和应用；提出微量掺锗减少晶格畸变的创新思路和技术，在国际上首先生长了4-12英寸微量掺锗直拉硅单晶，成功抑制了重掺硅外延层的失配位错，系统解决了其晶体生长、缺陷控制及在IC应用的基础科学问题，实现了我国特色硅单晶的成果转化及大规模生产；针对国际上未来IC器件对纳米硅材料的重大挑战，在纳米硅（点、线、管）领域取得系列创新成果。

何湘宁

电力电子变换是新能源、高速牵引等国家重大发展领域中电能系统的基础与核心。何湘宁在电力电子变换拓扑理论和控制方法上取得了系统的、创造性学术成就。他研究发现高增益直流变换电路的多自由度调控机制，创建高增益电路的普适构造理论，已成为国际公认的高增益电路形成准则；提出基本单元和基本单元串-并协同的多电平拓扑统一构造原理、新型PWM方法和系统容错策略；原创性成果创造学科多个国际/国内第一。何湘宁为我国电力电子拓扑理论和控制方法的研究走在国际前列，推动我国电力电子技术的发展满足国家重大需求，并取得广泛国际影响力作出了重大贡献。

何梁何利基金是由香港爱国金融实业家何善衡、梁銶琚、何添、利国伟共同捐资4亿元港币于1994年3月30日在香港注册成立的公益性科技奖励基金，旨在奖励中国杰出科学家，促进祖国科学技术进步与创新。